مقاله ترانزیستور mosfet

ارایه پکیج اقدام پژوهی ، گزارش تخصصی و تجربیات مدون

طرح جابر- اقدام پژوهی- درس پژوهی-گزارش تخصصی-برنامه سالانه-تقویم اجرایی-طرح تعالی- پیشنهاد ارزشیابی-طرح تدبیر-تجربیات مدون-تحلیل محتوا-


دانلود مقاله تاریخچه ترانزیستور,تاریخچه ترانزیستور,تاریخچه ترانزیستور Bjt,تاریخچه ترانزیستورها,مقال

فایل ورد قابل ویرایش

اریخچه ترانزیستور
ترانزیستور در سال ۱۹۴۷ در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند .

ترانزیستور چیست؟
ترانزیستور در سال ۱۹۴۷ در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند . شبکه های تلفن نیز به صد ها هزار رله مکانیکی برای اتصال مدارات به همدیگر نیاز داشتند تا شبکه بتواند سر پا بایستد و چون این رله های مکانیکی بودند لازم بود برای عملکرد مطلوب همیشه تمیز باشند .در نتیجه نگه داری و سرویس آنها مشکل و پر هزینه بود.

با ظهور ترانزیستور قیمت ها نسبت به زمان استفاده از لامپ خلاء شکسته شد و بهبودی زیادی در کیفیت شبکه های تلفن حاصل گردید.

ترانزیستور چگونه کار می کند؟
ترانزیستور کاربرد های زیادی دارد اما دو کاربرد پایه ای آن به عنوان سوئیچ و استفاده در مدولاسیون است که کاربرد دومی بیشتر به عنوان تقوت کننده مورد نظر است.
این دو کاربرد ترانزیستور را می توان اینگونه توضیح داد :
سوئیچ همان کلید است مثل کلید چراغ خواب اتاقتان .دارای دو حالت روشن و خاموش است با قرار دادن کلید در حالت روشن چراغ اتاقتان روشن می شود و با قراردادن کلید در حالت خاموش چراغ خاموش می شود . بله به همین سادگی ! کاربرد ترانزیستور هم به عنوان سوئیچ به همن صورت است.

اما کاربرد تقویت کنندگی آن را می توان بدین صورت توضیح داد :
چراغ خواب نور کمی دارد اما اگر بتوان این نور را چنان زیاد کرد که تمام اتاق را روشن کند آنوقت عمل تقویت کنندگی صورت گرفته است.
فرق بین سوئیچینگ به وسیله ترانزیستور و به وسیله کلید برق! سرعت بسیار زیاد ترانزیستور است که می توان گاهی آن را در مقایسه با کلید آنی در نظر گرفت(صد ها هزار برابر و شاید میلیونها بار سریعتر).و اینکه ترانزیستور را می توان به دیگر منابع الکترونیکی متصل کرد مثلا به میکروفن به منبع سیگنال و حتی به یک ترانزیستور دیگر ….

ترانزیستور از عناصری به نام نیمه هادی مانند سیلیکون و ژرمانیوم ساخته می شود نیمه هادی ها جریان الکتریسیته را نسبتا خوب( – اما نه به اندازه ای خوب که رسانا خوانده شوند مانند مس و آلومنیوم و تقریبا بد اما نه به اندازه ای که عایق نامگذاری شوند مانند شیشه) هدایت می کنند به همین دلیل به آنها نیمه هادی می گویند.

عمل جادویی که ترانزیستور می تواند انجام دهد اینست که می تواند مقدار هادی بودن خود را تغییر دهد . هنگامی که لازم است یک هادی باشد می تواند هدایت خوبی دشته باشد و هنگامی که لازم است تا به عنوان عایق عمل کند جریان بسیار کمی را از خود عبور می دهد که می توان آن را ناچیز شمرد.
نیمه هادی ها در مقابل الکتریسیته عملکرد جالبی دارند یک قطعه از یک عنصر نیمه هادی را بین دو قطع از یک عنصر نیمه هادی دیگر قرار دهید.جریان کم قطعه وسطی قادر است که جریان دو قطعه ی دیگر را کنترل کند. جریان کمی که از قطعه ی وسطی می گذرد

برای مثال می تواند یک موج رادیوئی یا جریان خروجی از یک ترانزیستور دیگر باشد .حتی اگر جریان ورودی بسیار ضعیف هم باشد( مثلا یک سیگنال رادیوئی که مسافت زیادی را طی کرده و از رمق افتاده است!) ترانزیستور می تواند جریان قوی مدار دیگری را که به آن وصل است کنترل کند. به زبان ساده ترانزیستور رفتار جریان خروجی از روی رفتار جریان ورودی تقلید می کند.نتیجه می تواند یک سیگنال تقوت شده و پرتوان رادیوئی باشد.


لینک دانلود:

دانلود مقاله تاریخچه ترانزیستور





دانلود مقاله ترانزيستورها

فایل ورد قابل ویرایش

ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی اس که امروزه نقش زیادی در دنیای برق و الکترونیک در منازل، شرکت ها، ادارت و کارخانجات دارد، البته وسایل الکتریکی همه نقش مهمی در دنیای امروزی دارند. برای فهم بیشتر از ترانزیستور پیشنهاد می کنیم که این صفحه را تا آخر مطالعه کنید و مقاله کامل ترانزیستور را دانلود کنید تا اطلاعات کاملی را در این مورد بدست آورید. دوست دارید که بدانید ترانزیستور چیست؟ و یا این که ترانزیستور چگونه کار می کند؟ دوست دارید یک مدار ببندید و در آن از ترانزیستور استفاده کنید؟ همین طور دیود ها و خازن ها را می شناسید؟ این مقاله جواب تمامی سئوالاتی که در اینجا گفته شده را دارد. پیشنهاد می کنیم اگر قصد آشنایی با این موارد را دارید از دانلود و دریافت این مقاله دریغ نکنید.

ترانزیستور چیست؟

ترانزیستور یک سوئیچ کوچک است که می تواند باعث تولید سیگنال های الکتریکی  توسط این سوییچ می شود. آنها نفوذ بسیاری در زندگی روزمره ما، و تقریباً در همه چیز، که این خود نشان می دهد چقدر مفید هستند.

یک ترانزیستور چگونه کار می کند؟

به روش سنتی ، جریان الکتریسیته که توسط اتصال فیزیکی و یا قطع دو سر سیم سوییچ مکانیکی را فعال یا غیر فعال می کند. در یک ترانزیستور،  در نتیجه با فعال کردن یا غیرفعال کردن سیگنال به صورت عابق و عبور جریان برق است. این اقدام از ویژگی های یک عایق که در برخی شرایط و مانند یک هادی منحصر به فرد به یک طبقه خاص از مواد شناخته شده به عنوان “نیمه هادی ها.”  است.

قبل از اینکه ما راز چگونه کار کردن ترانزیستور و چگونه مهار کردن آن را بگوییم، اجازه دهید برخی از توانایی های آن را نیز برای شما عزیزان بازگو کنیم.

اولین سیگنال سوییچ رله بود. رله با استفاده از یک آهنربای الکتریکی یک تلنگر به سوییچ مغناطیسی وارد می کرد.

برای درک چگونگی محاسبات سیگنال سوییچ، برای اولین بار یک باتری با دو سوئیچ و نور را تصور کنید. در سری برای تولید نور به دو سوئیچ نیاز می باشد.

تاریخچه ترانزیستور

ترانزیستور، توسط سه دانشمند در آزمایشگاه بل در سال 1947 اختراع شد. ترانزیستور به سرعت به عنوان یک تنظیم کننده سیگنال الکترونیکی جایگزین لوله خلاء شد.ترانزیستور جریان یا ولتاژ را تنظیم می کند و به عنوان یک سوئیچ یا دروازه برای سیگنال های الکترونیکی عمل می کند.ترانزیستور از سه لایه تشکیل شده است و یک ماده نیمه هادی است، که هر کدام قادر به حمل یک جریان هستند. ترانزیستور یک نیمه هادی مانند ژرمانیوم و سیلیکون است که در یک “نیمه مشتاق” راه هدایت الکتریکی است. یک هادی واقعی مانند مس و یک عایق (مانند پلاستیک پیچیده در اطراف سیم) است.

یک نوع ترانزیستور

عکس از یک نوع ترانزیستور

نیمه هادی بودن ترانزیستور

ترانزیستور یک دستگاه نیمه هادی است که برای تقویت قدرت جریان برق و تعویض سگنال های الکتریکی استفاده می شود. اگر ساده بخواهیم به موضوع نگاه کنیم عملکرد یک ترانزیستور را می توان تقویت جریان دانست. مدار منطقی کوچکی را در نظر می گیریم که تحت شرایط خاص در خروجی خود جریان بسیار کمی را ایجاد می کند. به وسیله یک ترانزیستور می توان این جریان را تقویت نمود و سپس از این جریان قوی برای قطع و وصل کردن یک رله برقی استفاده کرد. ترانزیستور یک قطعه بنیادی افزاره های دی الکترونیکی است و در حال حاضر در همه سیستم های پیشرفته الکترونیکی جدید یافت می شود.

موارد بسیاری هم وجود دارد که از یک ترانزیستور برای تقویت ولتاژ می توان استفاده کرد. بدیهی است که این خصیصه مستقیماً از خصیصه تقویت جریان این وسیله به ارث می رسد کافی است که جریان ورودی و خروجی تقویت شده روی یک مقاومت انداخته شود تا ولتاژ کم ورودی به ولتاژ تقویت شده خروجی تبدیل شود.

در ترانزیستور ها از یک مواد نیمه هادی با حداقل سه ترمینال برای ارتباط به یک مدار بیرونی با هم ترکیب شده اند. جریان ورودی ای که یک ترانزیستور می تواند آن را تقویت کند باید حداقل داشته باشد. چنانچه این جریان کمتر از حداقل نام برده باشد ترانزیستور در خروجی خود هیچ جریانی را نشان نمی دهد. اما به محض آن که شما جریان ورودی یک ترانزیستور را به بیش از حداقل مذکور ببرید در خروجی جریان تقویت شده خواهید دید.

از این خاصیت ترانزیستور معمولاً برای ساخت سوییچ های الکترونیکی استفاده می شود.

ترانزیستور های اولیه از دو پیوند نیمه هادی تشکیل شده اند و بر حسب آن که چگونه این پیوند ها به یکدیگر متصل شده باشند می توان آن ها را به نوع اصلی PNP یا NPN تقسیم کرد. برای درک نحوه عملکرد یک ترانزیستور ایتدا باید بدانیم که یک پیوند (Junction) نیمه هادی چگونه کار می کند.


لینک دانلود:

دانلود مقاله ترانزيستورها





مقاله آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور


فایل ورد قابل ویرایش

 

توضیحی مختصر از مقاله  :

نيمه هادي ها و ساختمان داخلي آنها

نيمه هادي ها عناصري هستند كه از لحاظ هدايت ، ما بين هادي و عايق قرار دارند، و مدار آخر نيمه هاديها ، داراي 4 الكترون مي‌باشد.ژرمانيم و سيليكون دو عنصري هستند كه خاصيت نيمه هادي ها را دارا مي‌باشند و به دليل داشتن شرايط فيزيكي خوب ، براي ساخت نيمه هادي ديود ترانزيستور ، آي سي (IC ) و .... مورد استفاده قرار مي‌گيرد.ژرمانيم داراي عدد اتمي‌32 مي‌باشد .اين نيمه هادي ، در سال 1886 توسط ونيكلر كشف شد.اين نيمه هادي ، در سال 1810توسط گيلوساك و تنارد كشف شد. اتمهاي نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم به صورت يك بلور سه بعدي است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار يكديگر ، شبكه كريستالي آنها پديد مي‌آيد .اتم هاي ژرمانيم و سيليسيم به دليل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجي خود تمايل به دريافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نمايد. لذا بين اتم هاي نيمه هادي فوق ، پيوند اشتراكي برقرار مي‌شود.بر اثر انرژي گرمائي محيط اطراف نيمه هادي ، پيوند اشتراكي شكسته شده و الكترون آزاد مي‌گردد. الكترون فوق و ديگر الكترون هائي كه بر اثر انرژي گرمايي بوجود مي‌آيد در نيمه هادي وجود دارد و اين الكترون ها به هيچ اتمي‌وابسته نيست.د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت ديگري به نام جريان در حفره ها كه داراي بار مثبت مي‌باشند، وجود دارد. اين حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پيوند بوجود مي‌آيد.بر اثر شكسته شدن پيوندها و بو جود آمدن الكترون هاي آزاد و حفره ها ، در نيمه هادي دو جريان بوجود مي‌آيد.جريان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جريان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود مي‌آيد. در يك كريستال نيمه هادي، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولي حركت الكترون ها و حفره ها عكس يكديگر مي‌باشند.

 نيمه هادي ديود و ترانزيستور

1.   نيمه هادي نوع N وP

از آنجايي كه تعداد الكترونها و حفره هاي موجود  در كريستال ژرمانيم و سيليسيم در دماي محيط كم است و جريان انتقالي كم مي‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصي اضافه مي‌كنند.هرگاه به عناصر نيمه هادي ، يك عنصر 5 ظرفيتي مانند آرسنيك يا آنتيوان تزريق شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنيك با چهار اتم مجاور سيلسيم يا ژرمانيم تشكيل پيوند اشتراكي داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقي مي‌ماند.بنابرين هر اتم  آرسنيك، يك الكترون اضافي توليد مي‌كند، بدون اينكه حفره اي ايجاد شده باشد. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آن از اتم هاي پنج ظرفيتي باشد، نيمه هادي نوع  نام دارد.در نيمه هادي نوع N ، چون تعداد الكترون ها خيلي بيشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدايت جريان را انجام مي‌دهند . به حامل هدايت فوق حامل اكثريت و به حفره ها حامل اقليت مي‌گويند.هرگاه به عناصر نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم ، يك ماده 3 ظرفيتي مانند آلومنيوم يا گاليم تزريق شود، سه الكترون مدار آخر آلومنيوم با سه الكترون سه اتم سيليسيم يا ژرمانيم مجاور ، تشكيل پيوند اشتراكي مي‌دهند . پيوند چهارم داراي كمبود الكترون و در واقع يك حفره تشكيل يافته است .هر اتم سه ظرفيتي، باعث ايجاد يك حفره مي‌شود، بدون اينكه الكترون آزاد ايجاد شده باشد. در اين نيمه هادي ناخالص شده، الكترون ها فقط در اثر شكسته شدن پيوندها بو جود مي‌آيند.نيمه هادي هايي كه ناخالصي آنها از اتم هاي سه ظرفيتي باشد، نوع P  مي‌نامند .حفره ها در اين نيمه هادي به عنوان حامل هاي اكثريت و الكترون ها به عنوان حاملهاي اقليت وجود دارد، تبديل يك نيمه هادي نوع p وn و بالعكس بوسيله عملي به نام «جبران»(Compensation) امكان پذير مي‌باشد.


لینک دانلود:


مقاله آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور


مقاله آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور,دیود و ترانزیستور,تفاوت دیود و ترانزیستور,فرق دیود و ترانزیستور,تحقیق در مورد دیود و ترانزیستور,علم دیود و ترانزیستور,تست دیود و ترانزیستور,جزوه دیود و ترانزیستور,سوئیچینگ دیود و ترانزیستور,انواع دیود و ترانزیستور,کاربرد دیود و ترانزیستور,مقاله دیود,مقاله دیود زنر,مقاله دیودها,مقال ترانزيستور تك الكتروني,مقاله ترانزیستور تک الکترونی,مقاله ترانزیستور,مقاله ترانزیستور Mosfet,مقاله ترانزیستور ماسفت,مقاله ترانزیستورهای Hemt,مقاله ترانزیستور Hemt,مقاله ترانزیستور نوری,مقاله ترانزیستورهای نانو لوله کربنی,مقاله ترانزیستورها,مقاله ترانزیستور گرافن,مقاله در مورد ترانزیستور ماسفت,مقاله Hemt Transistor,مقاله ترانزیستور ها,مقاله ترانزیستور دوقطبی,مقاله در مورد ترانزیستور دوقطبی,مقاله درمورد ترانزيستور,مقاله در مورد ترانزیستور,مقاله در مورد ترانزیستور Cmos,مقاله در مورد ترانزیستور Bjt,تحقيق درمورد ترانزيستور,مقاله در مورد ترانزیستورها,مقاله دیود نوری,مقاله دیود شاتکی,مقاله دیود تونلی,مقاله دیود لیزری,مقاله دیود قدرت,مقاله دیود شاکلی,مقاله دیود نورگسیل آلی,مقاله در مورد دیود نوری,مقاله درمورد دیود زنر,مقاله درباره دیود شاتکی,تحقیق دیود شاتکی,مقاله در مورد دیود شاتکی,مقاله لیزر دیود,مقاله در مورد دیود,مقاله در مورد دیود نور دهنده,مقاله در مورد دیود زنر,مقاله در مورد دیود به زبان انگلیسی,مقاله در مورد دیودها,مقاله درمورد ديود


مقاله آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور


فایل ورد قابل ویرایش

 

توضیحی مختصر از مقاله  :

نيمه هادي ها و ساختمان داخلي آنها

نيمه هادي ها عناصري هستند كه از لحاظ هدايت ، ما بين هادي و عايق قرار دارند، و مدار آخر نيمه هاديها ، داراي 4 الكترون مي‌باشد.ژرمانيم و سيليكون دو عنصري هستند كه خاصيت نيمه هادي ها را دارا مي‌باشند و به دليل داشتن شرايط فيزيكي خوب ، براي ساخت نيمه هادي ديود ترانزيستور ، آي سي (IC ) و .... مورد استفاده قرار مي‌گيرد.ژرمانيم داراي عدد اتمي‌32 مي‌باشد .اين نيمه هادي ، در سال 1886 توسط ونيكلر كشف شد.اين نيمه هادي ، در سال 1810توسط گيلوساك و تنارد كشف شد. اتمهاي نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم به صورت يك بلور سه بعدي است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار يكديگر ، شبكه كريستالي آنها پديد مي‌آيد .اتم هاي ژرمانيم و سيليسيم به دليل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجي خود تمايل به دريافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نمايد. لذا بين اتم هاي نيمه هادي فوق ، پيوند اشتراكي برقرار مي‌شود.بر اثر انرژي گرمائي محيط اطراف نيمه هادي ، پيوند اشتراكي شكسته شده و الكترون آزاد مي‌گردد. الكترون فوق و ديگر الكترون هائي كه بر اثر انرژي گرمايي بوجود مي‌آيد در نيمه هادي وجود دارد و اين الكترون ها به هيچ اتمي‌وابسته نيست.د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت ديگري به نام جريان در حفره ها كه داراي بار مثبت مي‌باشند، وجود دارد. اين حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پيوند بوجود مي‌آيد.بر اثر شكسته شدن پيوندها و بو جود آمدن الكترون هاي آزاد و حفره ها ، در نيمه هادي دو جريان بوجود مي‌آيد.جريان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جريان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود مي‌آيد. در يك كريستال نيمه هادي، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولي حركت الكترون ها و حفره ها عكس يكديگر مي‌باشند.

 نيمه هادي ديود و ترانزيستور

1.   نيمه هادي نوع N وP

از آنجايي كه تعداد الكترونها و حفره هاي موجود  در كريستال ژرمانيم و سيليسيم در دماي محيط كم است و جريان انتقالي كم مي‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصي اضافه مي‌كنند.هرگاه به عناصر نيمه هادي ، يك عنصر 5 ظرفيتي مانند آرسنيك يا آنتيوان تزريق شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنيك با چهار اتم مجاور سيلسيم يا ژرمانيم تشكيل پيوند اشتراكي داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقي مي‌ماند.بنابرين هر اتم  آرسنيك، يك الكترون اضافي توليد مي‌كند، بدون اينكه حفره اي ايجاد شده باشد. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آن از اتم هاي پنج ظرفيتي باشد، نيمه هادي نوع  نام دارد.در نيمه هادي نوع N ، چون تعداد الكترون ها خيلي بيشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدايت جريان را انجام مي‌دهند . به حامل هدايت فوق حامل اكثريت و به حفره ها حامل اقليت مي‌گويند.هرگاه به عناصر نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم ، يك ماده 3 ظرفيتي مانند آلومنيوم يا گاليم تزريق شود، سه الكترون مدار آخر آلومنيوم با سه الكترون سه اتم سيليسيم يا ژرمانيم مجاور ، تشكيل پيوند اشتراكي مي‌دهند . پيوند چهارم داراي كمبود الكترون و در واقع يك حفره تشكيل يافته است .هر اتم سه ظرفيتي، باعث ايجاد يك حفره مي‌شود، بدون اينكه الكترون آزاد ايجاد شده باشد. در اين نيمه هادي ناخالص شده، الكترون ها فقط در اثر شكسته شدن پيوندها بو جود مي‌آيند.نيمه هادي هايي كه ناخالصي آنها از اتم هاي سه ظرفيتي باشد، نوع P  مي‌نامند .حفره ها در اين نيمه هادي به عنوان حامل هاي اكثريت و الكترون ها به عنوان حاملهاي اقليت وجود دارد، تبديل يك نيمه هادي نوع p وn و بالعكس بوسيله عملي به نام «جبران»(Compensation) امكان پذير مي‌باشد.


لینک دانلود:


مقاله آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور


مقاله آشنايي با ساختمان و عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور,دیود و ترانزیستور,تفاوت دیود و ترانزیستور,فرق دیود و ترانزیستور,تحقیق در مورد دیود و ترانزیستور,علم دیود و ترانزیستور,تست دیود و ترانزیستور,جزوه دیود و ترانزیستور,سوئیچینگ دیود و ترانزیستور,انواع دیود و ترانزیستور,کاربرد دیود و ترانزیستور,مقاله دیود,مقاله دیود زنر,مقاله دیودها,مقال ترانزيستور تك الكتروني,مقاله ترانزیستور تک الکترونی,مقاله ترانزیستور,مقاله ترانزیستور Mosfet,مقاله ترانزیستور ماسفت,مقاله ترانزیستورهای Hemt,مقاله ترانزیستور Hemt,مقاله ترانزیستور نوری,مقاله ترانزیستورهای نانو لوله کربنی,مقاله ترانزیستورها,مقاله ترانزیستور گرافن,مقاله در مورد ترانزیستور ماسفت,مقاله Hemt Transistor,مقاله ترانزیستور ها,مقاله ترانزیستور دوقطبی,مقاله در مورد ترانزیستور دوقطبی,مقاله درمورد ترانزيستور,مقاله در مورد ترانزیستور,مقاله در مورد ترانزیستور Cmos,مقاله در مورد ترانزیستور Bjt,تحقيق درمورد ترانزيستور,مقاله در مورد ترانزیستورها,مقاله دیود نوری,مقاله دیود شاتکی,مقاله دیود تونلی,مقاله دیود لیزری,مقاله دیود قدرت,مقاله دیود شاکلی,مقاله دیود نورگسیل آلی,مقاله در مورد دیود نوری,مقاله درمورد دیود زنر,مقاله درباره دیود شاتکی,تحقیق دیود شاتکی,مقاله در مورد دیود شاتکی,مقاله لیزر دیود,مقاله در مورد دیود,مقاله در مورد دیود نور دهنده,مقاله در مورد دیود زنر,مقاله در مورد دیود به زبان انگلیسی,مقاله در مورد دیودها,مقاله درمورد ديود




|

ابزار ساخت کد پاپ آپ نیو تب

خرید ساعت مچی

|

صفحات پاپ آپ popup window